MC1413BDR2G, IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MC1413BDR2G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MC1413BDR2G, IC: driver; darlington ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.638
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Сборка 7NPN транзисторов Дарлингтона 50В 0.5A 16SO
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.638
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationArray 7
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
maximum base current (a)0.025
maximum collector emitter saturation voltage1.6 V
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA
maximum collector emitter voltage50 V
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum continuous collector current500 mA
maximum continuous dc collector current (a)0.5
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)30
maximum operating temperature+85 °C
maximum operating temperature (°c)85
minimum dc current gain1000@350mA@2V
minimum dc current gain range500 to 3600
minimum operating temperature-40 °C
minimum operating temperature (°c)-40
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip7
operating junction temperature (°c)150
package typeSOIC
packagingTape and Reel
партномер8017530033
part statusActive
pcb changed16
pin count16
ppapNo
standard package nameSO
supplier packageSOIC
transistor configurationCommon Emitter
transistor typeNPN
typeNPN
Время загрузки0:56:50
width4mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль