MBT6429DW1T1G, Транзистор: NPN x2, биполярный, 45В, 200мА, 150мВт, SOT363

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MBT6429DW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MBT6429DW1T1G, Транзистор: NPN x2 ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
20
+
Бонус: 0.4 !
Бонусная программа
Итого: 20
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector-emitter breakdown voltage45V
configurationDual
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
hts8541.21.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
materialSi
maximum collector base voltage (v)55
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.2@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current200mA
maximum dc collector current (a)0.2
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)150
maximum transition frequency (mhz)700
militaryNo
minimum dc current gain500@0.01mA@5V|500@1mA@5V|500@0.1mA@5V|500@10mA@5V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip2
package height0.9
package length2
package width1.25
packagingTape and Reel
партномер8007206751
part statusActive
pcb changed6
pd - power dissipation150mW
pin count6
product categoryBipolar Small Signal
standard package nameSC
supplier packageSC-88
transistor type2 NPNпј€Doubleпј‰
typeNPN
Время загрузки0:17:43
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль