MBT3906DW1T1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 40V
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:MBT3906DW1T1G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Биполярный транзистор PNP/PNP, -40 В, -0.2 А
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.006
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage
-40 V
maximum collector emitter voltage
40 V
maximum dc collector current
200 mA
maximum emitter base voltage
-5 V
maximum operating frequency
1 kHz
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
150 mW
minimum dc current gain
100
mounting type
Surface Mount
number of elements per chip
2
package type
SOT-363(SC-88)
партномер
8005370101
pin count
6
transistor configuration
Isolated
transistor type
PNP
Время загрузки
1:34:15
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26