MBT3904DW1T3G, 40V 150mW 100@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT3636 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MBT3904DW1T3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MBT3904DW1T3G, 40V 150mW 100@10mA,1V 200mA 2 ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
17
+
Бонус: 0.34 !
Бонусная программа
Итого: 17
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo-55 V
collector-emitter saturation voltage0.3 V
collector- emitter voltage vceo max-35 V
configurationDual
continuous collector current-2 A
dc collector/base gain hfe min40
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity10000
gain bandwidth product ft300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage60 V
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current0.2 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation150 mW
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip2
package / caseSC-70-6
package typeSOT-363(SC-88)
packagingCut Tape or Reel
партномер8009637340
part # aliasesMBT3904DW1T1G
pd - power dissipation625 mW
pin count6
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
seriesMBT3904DW1
subcategoryTransistors
transistor configurationIsolated
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
Время загрузки0:19:26
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль