MBR160G, Rectifier Diode Schottky Si 60V 1A 2-Pin DO-41 Bag

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MBR160G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MBR160G, Rectifier Diode Schottky Si 60V 1A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
31
+
Бонус: 0.62 !
Бонусная программа
Итого: 31
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Diodes > RectifierThis ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange.
Дата загрузки20.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
configurationSingle
diameter2.7mm
diode configurationSingle
diode technologySchottky Barrier
diode typeSchottky
forward voltage1(V)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum continuous forward current1A
mountingThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
operating temperature classificationMilitary
operating temp range-65C to 150C
package typeDO-41
packagingTape and Reel
партномер8003198210
peak forward voltage1(V)
peak non-repetitive forward surge current25A
peak reverse current500(uA)
peak reverse repetitive voltage60V
pin count2
rad hardenedNo
rectifier typeSchottky Diode
Время загрузки0:19:27
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль