LND150N8-G, Транзистор МОП n-канальный, 500В, 1мА, 1,6Вт, SOT89-3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: LND150N8-G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.12 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Microchip Technology |
| Бренд | Microchip Technology |
| Основные | |
| automotive | No |
| channel mode | Depletion |
| channel type | N |
| configuration | Single Dual Drain |
| eccn (us) | ear99 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| lead shape | Flat |
| maximum continuous drain current | 30 mA |
| maximum continuous drain current (a) | 0.03 |
| maximum diode forward voltage (v) | 0.9 |
| maximum drain source resistance | 1 kΩ |
| maximum drain source resistance (mohm) | 1000000@0V |
| maximum drain source voltage | 500 V |
| maximum drain source voltage (v) | 500 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage | -20 V, +20 V |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage | 3V |
| maximum idss (ua) | 3 |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum positive gate source voltage (v) | 20 |
| maximum power dissipation | 1.6 W |
| maximum power dissipation (mw) | 1600 |
| maximum power dissipation on pcb @ tc=25°c (w) | 01.06.2024 |
| maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a) | 0.03 |
| minimum operating temperature | -55 °C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | surface mount |
| mounting type | Surface Mount |
| number of elements | 1 |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature classification | Military |
| operating temp range | -55C to 150C |
| package type | SOT-89 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8002679430 |
| part status | active |
| pcb changed | 3 |
| pin count | 3+Tab |
| polarity | N |
| power dissipation | 1.6(W) |
| ppap | No |
| process technology | DMOS |
| product category | Power MOSFET |
| rad hardened | No |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-89 |
| tab | Tab |
| transistor configuration | Single |
| transistor material | Si |
| type | Power MOSFET |
| typical fall time (ns) | 1300 |
| typical gate plateau voltage (v) | 0.5 |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 7.5@25V |
| typical output capacitance (pf) | 2 |
| typical reverse recovery time (ns) | 200 |
| typical reverse transfer capacitance @ vds (pf) | 0.5@25V |
| typical rise time (ns) | 450 |
| typical turn-off delay time (ns) | 100 |
| typical turn-on delay time (ns) | 90 |
| Время загрузки | 2:18:29 |
| width | 2.6mm |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
