KTD998-O

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыкорпус: TO-3P(H)IS, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 10 А, 80 Вт, (Комплементарная пара KTB778)
Корпус
collector-emitter breakdown voltage120V
граничная частота коэффициента передачи тока fгр.мгц50
100
+
Бонус: 2 !
Бонусная программа
Итого: 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыкорпус: TO-3P(H)IS, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 10 А, 80 Вт, (Комплементарная пара KTB778)
Корпус
collector-emitter breakdown voltage120V
граничная частота коэффициента передачи тока fгр.мгц50
максимальная рассеиваемая мощность ,вт80
максимально допустимый ток к ( iк макс.а)10
макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(uкбо ма100
макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(uкэо макс),в100
maximum dc collector current10A
pd - power dissipation80W
статический коэффициент передачи тока h21э мин150
СтруктураNPN
transistor typeNPN
вес, г7.25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль