КТ829Б Биполярный транзистор, NPN

Транзисторы КТ829Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Импортный аналог: BD265, BD267, BD645, BDW23B, BDX53B. Основные технические характеристики транзистора КТ829Б: ∙ Структура транзистора: n-p-n; ∙ Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; ∙ fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; ∙ Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм); ∙ Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; ∙ Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; ∙ Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; ∙ Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1,5 мА (100В); ∙ h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750; ∙ Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ; ∙ Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,57 Ом