KST5551MTF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KST5551MTF
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
98
+
Бонус: 1.96 !
Бонусная программа
Итого: 98
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементБиполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo180 V
collector-emitter saturation voltage0.2 V
collector- emitter voltage vceo max160 V
configurationSingle
continuous collector current0.6 A
dc collector/base gain hfe min80
dc current gain hfe max250
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft300 MHz
height0.93 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length2.92 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current0.6 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23-3
packagingCut Tape
партномер8002990197
part # aliasesKST5551MTF_NL
pd - power dissipation350 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesKST5551
transistor polarityNPN
unit weight0.000282 oz
Время загрузки1:37:36
width1.3 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль