Name: KSP42BU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Brand: ON Semiconductor***
SKU: KSP42BU

KSP42BU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KSP42BU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si ...

Подробное описание

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.2
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

120 ₽

– +

Бонус: 2.4 !

Бонусная программа

Итого: 120 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTTRANSISTOR, NPN, 300V, 0.5A, TO-92-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.2
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
base part number	KSP42
current - collector cutoff (max)	100nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)	500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	40 @ 30mA, 10V
диапазон рабочих температур, ос	-55…150
другие названия товара №:	KSP42BU_NL
frequency - transition	50MHz
hfe при напряжении к-э, в	10
hfe при токе коллектора, а	0.03
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта:	Биполярные транзисторы-BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):	40
конфигурация:	Single
максимальная рабочая температура:	+150 C
максимальный постоянный ток коллектора:	0.5 A
manufacturer	ON Semiconductor
минимальная рабочая температура:	-55 C
mounting type	Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo):	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo):	300 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:	300 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	0.5 v
непрерывный коллекторный ток:	0.5 A
operating temperature	150В°C(TJ)
package / case	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)
packaging	Bulk
партномер	8004835298
part status	Active
pd - рассеивание мощности:	625 mW
подкатегория:	Transistors
полярность транзистора:	NPN
power - max	625mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):	50 MHz
производитель:	onsemi
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:	10000
series	-
серия:	KSP42
статический коэффициент передачи тока hfe мин	40
supplier device package	TO-92-3
технология:	Si
тип продукта:	BJTs-Bipolar Transistors
торговая марка:	onsemi/Fairchild
transistor type	NPN
упаковка:	Bulk
упаковка / блок:	TO-92-3
vce saturation (max) @ ib, ic	500mV @ 2mA, 20mA
вид монтажа:	Through Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)	300V
Время загрузки	2:06:27

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)KSP42BU