Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsBipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
current - collector cutoff (max)
10nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)
600mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
100 @ 150mA, 10V
family
Transistors-Bipolar(BJT)-Single
frequency - transition
300MHz
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer
Fairchild Semiconductor
maximum collector base voltage
75 V
maximum collector emitter voltage
40 V
maximum dc collector current
600 mA
maximum emitter base voltage
6 V
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
625 mW
minimum dc current gain
100
mounting type
Through Hole
number of elements per chip
1
operating temperature
150°C(TJ)
package / case
TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(Formed Leads)
package type
TO-92
packaging
Tape & Box(TB)
партномер
8014489165
part status
Active
pin count
3
power - max
625mW
series
-
standard package
2
supplier device package
TO-92-3
transistor configuration
Single
transistor type
NPN
vce saturation (max) @ ib, ic
1V @ 50mA, 500mA
voltage - collector emitter breakdown (max)
40V
Время загрузки
0:19:32
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26