KSP10TA, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: KSP10TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.24 |
| Высота | 4.7 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Single |
| длина | 4.7 mm |
| другие названия товара № | KSP10TA_NL |
| eccn (us) | ear99 |
| eu rohs | compliant |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum collector base voltage (v) | 30 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.5@0.4mA@4mA |
| maximum collector-emitter voltage range (v) | 20 to 30 |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 25 |
| maximum emitter base voltage (v) | 3 |
| maximum emitter cut-off current (na) | 100 |
| maximum junction ambient thermal resistance | 357°C/W |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 350 |
| maximum transition frequency (mhz) | 650(Min) |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 60@4mA@10V |
| minimum dc current gain range | 50 to 120 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 3 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 30 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 25 V |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Fan-Fold |
| партномер | 8005442941 |
| part status | active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 650 MHz |
| размер фабричной упаковки | 2000 |
| серия | KSP10 |
| standard package name | TO |
| supplier package | TO-92 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| type | NPN |
| упаковка | Ammo Pack |
| упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 2:06:31 |
| Ширина | 3.93 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
