KSP10BU, Trans RF BJT NPN 25V 350mW 3-Pin TO-92 Bag

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: KSP10BU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KSP10BU, Trans RF BJT NPN 25V 350mW 3-Pin ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота4.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
58
+
Бонус: 1.16 !
Бонусная программа
Итого: 58
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота4.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина4.7 mm
другие названия товара №KSP10BU_NL
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum collector base voltage30 V
maximum collector emitter voltage25 V
maximum dc collector current50 mA
maximum emitter base voltage3 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation1 W
минимальная рабочая температура55 C
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)3 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.25 V
number of elements per chip1
package typeTO-92
партномер8002307023
pd - рассеивание мощности350 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)650 MHz
размер фабричной упаковки10000
серияKSP10
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-92-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки1:36:08
Ширина3.93 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль