KSE13003H2ASTU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: KSE13003H2ASTU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KSE13003H2ASTU, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
330
+
Бонус: 6.6 !
Бонусная программа
Итого: 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:700 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:400 V
configuration:Single
continuous collector current:1.5 A
dc collector/base gain hfe min:8
dc current gain hfe max:40
emitter- base voltage vebo:9 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1920
gain bandwidth product ft:4 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:1.5 A
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-126-3
packaging:Tube
партномер8004835289
part # aliases:KSE13003H2ASTU_NL
pd - power dissipation:20 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:KSE13003
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:56:26
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль