KSD882YS, Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: KSD882YS
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KSD882YS, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.761
Высота11 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.761
Высота11 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина8 mm
другие названия товара №KSD882YS_NL
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток3 A
партномер8004835287
pd - рассеивание мощности10 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)90 MHz
размер фабричной упаковки2000
серияKSD882
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-126-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки2:05:24
Ширина3.25 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль