KSD880O, Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: KSD880O
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KSD880O, Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота9.4 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота9.4 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина10.1 mm (Max)
другие названия товара №KSD880O_NL
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
непрерывный коллекторный ток3 A
партномер8002308821
pd - рассеивание мощности30 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)3 MHz
размер фабричной упаковки1200
серияKSD880
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки2:05:26
Ширина4.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль