Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки
21.02.2024
Вес и габариты
вес, г
2.96
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:
60 V
collector-emitter saturation voltage:
400 mV
collector- emitter voltage vceo max:
60 V
configuration:
Single
continuous collector current:
3 A
dc current gain hfe max:
320
emitter- base voltage vebo:
7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:
50
gain bandwidth product ft:
3 MHz
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:
onsemi
maximum collector base voltage
60 V
maximum collector emitter voltage
60 V
maximum dc collector current
3 A
maximum dc collector current:
3 A
maximum emitter base voltage
7 V
maximum operating temperature
+150 °C
maximum operating temperature:
+150 C
maximum power dissipation
25 W
minimum dc current gain
150
mounting style:
Through Hole
mounting type
Through Hole
number of elements per chip
1
package / case:
TO-220F-3
package type
TO-220F
packaging:
Tube
партномер
8017626270
pd - power dissipation:
25 W
pin count
3
product category:
Bipolar Transistors-BJT
product type:
BJTs-Bipolar Transistors
series:
KSD2012
subcategory:
Transistors
technology:
Si
transistor configuration
Single
transistor polarity:
NPN
transistor type
NPN
Время загрузки
0:56:35
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26