KSD1691YSTU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: KSD1691YSTU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KSD1691YSTU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:100 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
continuous collector current:5 A
dc current gain hfe max:400
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1920
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:5 A
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-126-3
packaging:Tube
партномер8004674078
part # aliases:KSD1691YSTU_NL
pd - power dissipation:1.3 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:KSD1691
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:56:38
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль