KSC5603DTU
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Trans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| частота перехода ft | 5МГц |
| collector- base voltage vcbo: | 1.6 kV |
| collector-emitter saturation voltage: | 1.2 V |
| collector emitter voltage max | 800В |
| collector- emitter voltage vceo max: | 800 V |
| configuration | Single |
| configuration: | Single |
| continuous collector current | 3А |
| continuous collector current: | 3 A |
| dc collector/base gain hfe min: | 20 |
| dc current gain hfe max: | 35 |
| dc current gain hfe min | 20hFE |
| dc усиление тока hfe | 20hFE |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 12 V |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 50 |
| gain bandwidth product ft: | 5 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| manufacturer: | onsemi |
| material | Si |
| maximum base current (a) | 2 |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.2@50mA@500mA|1.2@0.4A@2A |
| maximum collector base voltage (v) | 1600 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 1.25@25mA@250mA|2.5@50mA@500mA|2.5@0.2mA@1A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 800 |
| maximum dc collector current: | 3 A |
| maximum dc collector current (a) | 3 |
| maximum emitter base voltage (v) | 12 |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 100000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 5(Typ) |
| minimum dc current gain | 20@400mA@3V|20@5mA@10V |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting | Through Hole |
| mounting style: | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| operating junction temperature (°c) | 150 |
| package / case: | TO-220-3 |
| packaging | Tube |
| packaging: | Tube |
| партномер | 8008458971 |
| part # aliases: | KSC5603DTU_NL |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation: | 100 W |
| pin count | 3 |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 100Вт |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| series: | KSC5603D |
| standard package name | TO |
| стиль корпуса транзистора | TO-220 |
| subcategory: | Transistors |
| supplier package | TO-220 |
| tab | Tab |
| technology: | Si |
| transistor polarity: | NPN |
| type | NPN |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| Время загрузки | 0:56:02 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
