KSC2690AYSTU

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KSC2690AYSTU
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:160 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:160 V
configuration:Single
continuous collector current:1.2 A
dc collector/base gain hfe min:60
dc current gain hfe max:320
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1920
gain bandwidth product ft:155 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum collector base voltage160 V
maximum collector emitter voltage160 V
maximum dc collector current1.2 A
maximum dc collector current:1.2 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency1 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation20 W
minimum dc current gain160
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package / case:TO-126-3
package typeTO-126
packaging:Tube
партномер8008458866
pd - power dissipation:1.2 W
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:KSC2690A
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки0:55:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль