KSC1008YTA, 100nA 60V 800mW 120@50mA,2V 700mA 50MHz 200mV@500mA,50mA NPN +150°C@(Tj) TO-92-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: KSC1008YTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KSC1008YTA, 100nA 60V 800mW 120@50mA,2V 700mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.27
Высота4.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Transistor
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.27
Высота4.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина4.7 mm
другие названия товара №KSC1008YTA_NL
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.7 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)8 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2 V
непрерывный коллекторный ток0.7 A
партномер8017646698
pd - рассеивание мощности800 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки2000
серияKSC1008
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаAmmo Pack
упаковка / блокTO-92-3 Kinked Lead
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:55:49
Ширина3.93 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль