KSB1017YTU, Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: KSB1017YTU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KSB1017YTU, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.27
Высота9.19 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.27
Высота9.19 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина10.16 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.240
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
непрерывный коллекторный ток4 A
партномер8004835249
pd - рассеивание мощности25 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)9 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияKSB1017
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220F-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:57:16
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль