KSB1015YTU, Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: KSB1015YTU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KSB1015YTU, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина:10.16 mm
другие названия товара №:KSB1015YTU_NL
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:200
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):60
конфигурация:Single
максимальная рабочая температура:+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:3 A
минимальная рабочая температура:- 55 C
напряжение эмиттер-база (vebo):- 7 V
напряжение коллектор-база (vcbo):- 60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:- 60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:- 0.5 V
непрерывный коллекторный ток:- 3 A
партномер8004584752
pd - рассеивание мощности:25 W
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):9 MHz
производитель:ON Semiconductor
размер фабричной упаковки:1000
серия:KSB1015
ширина:4.7 mm
технология:Si
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:ON Semiconductor / Fairchild
упаковка:Tube
упаковка / блок:TO-220F-3
вид монтажа:Through Hole
Время загрузки0:57:16
высота:9.19 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль