Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsBipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
automotive
No
configuration
Single
eccn (us)
EAR99
eu rohs
Compliant
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
lead shape
Through Hole
material
Si
maximum collector base voltage
-120 V
maximum collector base voltage (v)
120
maximum collector cut-off current (na)
50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)
0.3@1mA@10mA
maximum collector emitter voltage
-120 V
maximum collector-emitter voltage (v)
120
maximum dc collector current
-50 mA
maximum dc collector current (a)
0.05
maximum emitter base voltage
-5 V
maximum emitter base voltage (v)
5
maximum operating frequency
1 MHz
maximum operating temperature
+150 °C
maximum operating temperature (°c)
150
maximum power dissipation
500 mW
maximum power dissipation (mw)
500
maximum transition frequency (mhz)
100(Typ)
minimum dc current gain
300, 430
minimum operating temperature (°c)
-55
mounting
Through Hole
mounting type
Through Hole
number of elements per chip
1
package type
TO-92
packaging
Bag
партномер
8014595582
part status
Active
pcb changed
3
pin count
3
ppap
No
product category
Bipolar Small Signal
standard package name
TO
supplier package
TO-92
transistor configuration
Single
transistor type
PNP
type
PNP
Время загрузки
1:36:20
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26