KSA1156YS, Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: KSA1156YS
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KSA1156YS, Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.761
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
• PNP silicon transistor• High voltage switching and low power switching regulator• DC-DC converter• High breakdown voltage• Low collector saturation voltage• High speed switching• General usage and suitable for many different applications
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.761
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
categoryBipolar Power
collector emitter voltage max400В
configurationSingle
continuous collector current500мА
dc current gain hfe min100hFE
dc усиление тока hfe100hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
монтаж транзистораThrough Hole
mountingThrough Hole
number of elements1
operating temperature classificationMilitary
operating temp range-55C to 150C
output powerNot Required(W)
package typeTO-126
packagingBag
партномер8006330830
pin count3+Tab
полярность транзистораPNP
power dissipation10Вт
rad hardenedNo
стиль корпуса транзистораTO-126
transistor polarityPNP
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки0:57:18
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль