Name: Jantxv2N5416, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Brand: Microchip Technology
SKU: Jantxv2N5416

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip Jantxv2N5416, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Подробное описание

5 550 ₽

– +

Бонус: 111 !

Бонусная программа

Итого: 5 550 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Microchip Technology
Бренд	Microchip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:	350 V
collector-emitter saturation voltage:	2 V
collector- emitter voltage vceo max:	300 V
configuration:	Single
dc collector/base gain hfe min:	30 at 50 mA, 10 V
dc current gain hfe max:	120 at 50 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo:	6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	1
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Microchip
maximum dc collector current:	1 A
maximum operating temperature:	+200 C
minimum operating temperature:	-65 C
mounting style:	Through Hole
package/case:	TO-5-3
packaging:	Bulk
партномер	8004810074
pd - power dissipation:	750 mW
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
Время загрузки	2:18:34

Отзывов нет

Кнопки

Теги: