Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BJTs

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	15

1 350 ₽

– +

Бонус: 27 !

Бонусная программа

Итого: 1 350 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	15
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
непрерывный коллекторный ток	1 A
pd - рассеивание мощности	1 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	262
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microchip / Microsemi
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-18-3
вес, г	1.169
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

Jantxv2N3700