Jantxv2N3501, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: Jantxv2N3501
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip Jantxv2N3501, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
4 720
+
Бонус: 94.4 !
Бонусная программа
Итого: 4 720
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:150 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:150 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:300 mA
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-39-3
packaging:Bulk
партномер8004810068
pd - power dissipation:1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки2:13:49
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль