JANTXV2N3439, Bipolar Transistors - BJT 350 V Power BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: JANTXV2N3439
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip JANTXV2N3439, Bipolar Transistors - BJT 350 V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
6 210
+
Бонус: 124.2 !
Бонусная программа
Итого: 6 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.160 at 20 mA, 10 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40 at 20 mA, 10 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)450 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.350 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
партномер8004810067
pd - рассеивание мощности800 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки100
rohsN
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrochip / Microsemi
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-39-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки2:13:51
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль