Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BJTs

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта:	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:	175 at 1 mA, 10 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):	40 at 1 mA, 10 VDC

1 080 ₽

– +

Бонус: 21.6 !

Бонусная программа

Итого: 1 080 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта:	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:	175 at 1 mA, 10 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):	40 at 1 mA, 10 VDC
конфигурация:	Single
максимальная рабочая температура:	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора:	600 mA
минимальная рабочая температура:	- 65 C
напряжение эмиттер-база (vebo):	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):	60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:	60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	400 mV
pd - рассеивание мощности:	500 mW
подкатегория:	Transistors
полярность транзистора:	PNP
производитель:	Microchip
размер фабричной упаковки:	1
технология:	Si
тип продукта:	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:	Microchip Technology
упаковка:	Bulk
упаковка / блок:	TO-18-3
вид монтажа:	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

Jantxv2N2907A