JANTXV2N1613L

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip JANTXV2N1613L
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
86 560
+
Бонус: 1731.2 !
Бонусная программа
Итого: 86 560
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 30V 500mA 800mW Through Hole TO-39
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
base product number2N1613 ->
current - collector cutoff (max)10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce40 @ 150mA, 10V
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
notificationQPL or Military Specs are for reference only. Part
operating temperature-65В°C ~ 200В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
партномер8006952245
power - max800mW
reach statusREACH Unaffected
rohs statusRoHS non-compliant
seriesMilitary, MIL-PRF-19500/181 ->
supplier device packageTO-39
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic1.5V @ 15mA, 150mA
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Время загрузки2:14:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль