Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	2N5682 ->
current - collector cutoff (max)	10ВµA
current - collector (ic) (max)	1A

7 680 ₽

– +

Бонус: 153.6 !

Бонусная программа

Итого: 7 680 ₽

Купить

Вес и габариты
base product number	2N5682 ->
current - collector cutoff (max)	10ВµA
current - collector (ic) (max)	1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	40 @ 250mA, 2V
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
notification	QPL or Military Specs are for reference only. Part
operating temperature	-65В°C ~ 200В°C (TJ)
package	Bulk
package / case	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
подкатегория	Transistors
power - max	1W
размер фабричной упаковки	1
reach status	REACH Unaffected
rohs	N
rohs status	RoHS non-compliant
series	Military, MIL-PRF-19500/583 ->
supplier device package	TO-39
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microsemi
transistor type	NPN
упаковка	Bulk
vce saturation (max) @ ib, ic	1V @ 50mA, 500mA
voltage - collector emitter breakdown (max)	120V

Отзывов нет

Кнопки

JANTX2n5682