JANTX2N5667, Trans GP BJT NPN 300V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:JANTX2N5667
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Вес и габариты
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
75 at 1 A, 5 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
25 at 1 A, 5 VDC
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора
5 A
минимальная рабочая температура
65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
400 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
300 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
400 mV
pd - рассеивание мощности
1.2 W
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
размер фабричной упаковки
100
rohs
N
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Microchip / Microsemi
упаковка
Bulk
упаковка / блок
TO-5-3
вид монтажа
SMD/SMT
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26