Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	75 at 1 A at 5 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25 at 1 A at 5 VDC

3 300 ₽

– +

Бонус: 66 !

Бонусная программа

Итого: 3 300 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	75 at 1 A at 5 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25 at 1 A at 5 VDC
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	5 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	250 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
pd - рассеивание мощности	1.2 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	1
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microsemi
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-5-3
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

Jantx2N5666