Jantx2N5666, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: Jantx2N5666
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip Jantx2N5666, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
4 120
+
Бонус: 82.4 !
Бонусная программа
Итого: 4 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.75 at 1 A at 5 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25 at 1 A at 5 VDC
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)250 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 mV
партномер8006262737
pd - рассеивание мощности1.2 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки1
rohsN
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrosemi
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-5-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки2:15:18
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль