Jantx2N5416S, Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: Jantx2N5416S
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip Jantx2N5416S, Bipolar Transistors - BJT 300 V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
3 080
+
Бонус: 61.6 !
Бонусная программа
Итого: 3 080
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:350 V
collector-emitter saturation voltage:2 V
collector- emitter voltage vceo max:300 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
packaging:Bulk
партномер8004670952
pd - power dissipation:750 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки2:15:20
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль