Jantx2N5416S, Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:Jantx2N5416S
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT
Дата загрузки
22.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
Microchip Technology
Бренд
Microchip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:
350 V
collector-emitter saturation voltage:
2 V
collector- emitter voltage vceo max:
300 V
configuration:
Single
emitter- base voltage vebo:
6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:
1
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:
Microchip
maximum dc collector current:
1 A
maximum operating temperature:
+200 C
minimum operating temperature:
-65 C
mounting style:
Through Hole
packaging:
Bulk
партномер
8004670952
pd - power dissipation:
750 mW
product category:
Bipolar Transistors-BJT
product type:
BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:
Transistors
technology:
Si
transistor polarity:
PNP
Время загрузки
2:15:20
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26