Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	150 at 1.5 A at 2 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30 at 1.5 A at 2 VDC

5 690 ₽

– +

Бонус: 113.8 !

Бонусная программа

Итого: 5 690 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	150 at 1.5 A at 2 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30 at 1.5 A at 2 VDC
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	3 mA
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	4 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
pd - рассеивание мощности	1 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
размер фабричной упаковки	1
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microsemi
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-5-3
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

Jantx2N3868