Jantx2N3868, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: Jantx2N3868
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip Jantx2N3868, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
7 110
+
Бонус: 142.2 !
Бонусная программа
Итого: 7 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.150 at 1.5 A at 2 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30 at 1.5 A at 2 VDC
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора3 mA
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)4 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
партномер8004810012
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
размер фабричной упаковки1
rohsN
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrosemi
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-5-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки2:15:25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль