Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Transistor

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C

1 050 ₽

– +

Бонус: 21 !

Бонусная программа

Итого: 1 050 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	1 A
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	1
rohs	N
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microsemi
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-18-3
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

Jantx2N3700