JANTX2N3506, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: JANTX2N3506
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip JANTX2N3506, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г9.21
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
5 180
+
Бонус: 103.6 !
Бонусная программа
Итого: 5 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г9.21
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:3 A
dc collector/base gain hfe min:40
dc current gain hfe max:200
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package/case:TO-39-3
packaging:Bulk
партномер8004581645
pd - power dissipation:1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки2:14:08
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль