Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20

5 120 ₽

– +

Бонус: 102.4 !

Бонусная программа

Итого: 5 120 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	150 V
непрерывный коллекторный ток	300 mA
pd - рассеивание мощности	1.5 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	1
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microsemi
упаковка	Waffle
упаковка / блок	SMD-3
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки

JANTX2N3501UB