JANTX2N3440

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT
Вес и габариты
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:160 at 20 mA, 10 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):40 at 20 mA, 10 V
2 590
+
Бонус: 51.8 !
Бонусная программа
Итого: 2 590
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT
Вес и габариты
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:160 at 20 mA, 10 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):40 at 20 mA, 10 V
конфигурация:Single
максимальная рабочая температура:+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора:1 A
минимальная рабочая температура:- 65 C
напряжение эмиттер-база (vebo):7 V
напряжение коллектор-база (vcbo):300 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:250 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:500 mV
pd - рассеивание мощности:800 mW
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN
производитель:Microchip
размер фабричной упаковки:100
технология:Si
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:Microchip Technology
упаковка:Bulk
упаковка / блок:TO-39-3
вес, г23.02
вид монтажа:Through Hole
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль