JANTX2N3019S, Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: JANTX2N3019S
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Semicoa JANTX2N3019S, Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW ...
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительSemicoa Semiconductors
БрендSemicoa Semiconductors
890
+
Бонус: 17.8 !
Бонусная программа
Итого: 890
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительSemicoa Semiconductors
БрендSemicoa Semiconductors
Основные
automotiveNo
configurationSingle
diameter9.4(Max)
eu rohsNot Compliant
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeThrough Hole
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.1@15mA@150mA
maximum collector base voltage (v)140
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.2@15mA@150mA|0.5@50mA@500mA
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature (°c)200
maximum power dissipation (mw)800
minimum dc current gain90@10mA@10V|15@1A@10V|50@0.1mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingThrough Hole
number of elements per chip1
package height6.6(Max)
партномер8001677651
part statusActive
pcb changed3
pin count3
product categoryBipolar Power
supplier packageTO-39
supplier temperature gradeMilitary
typeNPN
Время загрузки16:29:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль