Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C

2 170 ₽

– +

Бонус: 43.4 !

Бонусная программа

Итого: 2 170 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	1 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
pd - рассеивание мощности	800 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	1
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microsemi
упаковка	Tray
упаковка / блок	TO-5-3
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

Jantx2N3019