Jantx2N3019, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: Jantx2N3019
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Microchip Technology |
| Бренд | Microchip Technology |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Single |
| diameter | 9.4(Max) |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Not Compliant |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая температура | + 200 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.1@15mA@150mA |
| maximum collector base voltage (v) | 140 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.2@15mA@150mA|0.5@50mA@500mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 80 |
| maximum dc collector current (a) | 1 |
| maximum emitter base voltage (v) | 7 |
| maximum operating temperature (°c) | 200 |
| maximum power dissipation (mw) | 800 |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 140 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tray |
| партномер | 8004670949 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| размер фабричной упаковки | 1 |
| rohs | N |
| standard package name | TO-205-AF |
| supplier package | TO-39 |
| supplier temperature grade | Military |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Microsemi |
| type | NPN |
| упаковка | Tray |
| упаковка / блок | TO-5-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 2:14:16 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
