JANTX2N2907A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip JANTX2N2907A
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
590
+
Бонус: 11.8 !
Бонусная программа
Итого: 590
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементJANTX Series 60 V 600 mA Through Hole PNP Small Signal Silicon Transistor -TO-18
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
current - collector cutoff (max)50nA
current - collector (ic) (max)600mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 10V
frequency - transition-
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора600 mA
manufacturerMicrosemi Corporation
минимальная рабочая температура65 C
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 mV
operating temperature-65В°C ~ 200В°C(TJ)
package / caseTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
packagingBulk
партномер8001988359
part statusActive
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max500mW
размер фабричной упаковки1
rohsN
seriesMilitary, MIL-PRF-19500/291
supplier device packageTO-206AA(TO-18)
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrosemi
transistor typePNP
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-18-3
vce saturation (max) @ ib, ic1.6V @ 50mA, 500mA
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки2:24:44
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль