JANTX2N2484, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: JANTX2N2484
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BJTs
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Microchip Technology |
| Бренд | Microchip Technology |
| Основные | |
| base product number | 2N2484 -> |
| current - collector cutoff (max) | 2nA |
| current - collector (ic) (max) | 50mA |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 225 @ 10mA, 5V |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 500 at 10 uA, 5 VDC |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 uA, 5 VDC |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 200 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 50 mA |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 60 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 V |
| notification | QPL or Military Specs are for reference only. Part |
| operating temperature | -65В°C ~ 200В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| партномер | 8005439650 |
| pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 360mW |
| размер фабричной упаковки | 100 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs | N |
| rohs status | RoHS non-compliant |
| series | Military, MIL-PRF-19500/376 -> |
| supplier device package | TO-18 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Microchip / Microsemi |
| transistor type | NPN |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-18-3 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 300mV @ 100ВµA, 1mA |
| вид монтажа | Through Hole |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 60V |
| Время загрузки | 2:13:39 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![TLCO5100, Светодиод оранжевый d=5мм 18" 12000мКд](/wa-data/public/shop/products/97/75/17597/images/23397/23397.300x0.jpg "TLCO5100, Светодиод оранжевый d=5мм 18" 12000мКд")
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
