JANS2N3700

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Transistor
Вес и габариты
base product number2N3700 ->
current - collector cutoff (max)10nA
current - collector (ic) (max)1A
6 740
+
Бонус: 134.8 !
Бонусная программа
Итого: 6 740
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Transistor
Вес и габариты
base product number2N3700 ->
current - collector cutoff (max)10nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce50 @ 500mA, 10V
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
notificationQPL or Military Specs are for reference only. Part
operating temperature-65В°C ~ 200В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max500mW
размер фабричной упаковки1
reach statusREACH Unaffected
rohsN
rohs statusRoHS non-compliant
seriesMilitary, MIL-PRF-19500/391 ->
supplier device packageTO-18 (TO-206AA)
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrosemi
transistor typeNPN
упаковкаTray
упаковка / блокTO-18-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль