JANS2N3637
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39
| Вес и габариты | |
| base product number | 2N3637 -> |
| current - collector cutoff (max) | 10ВµA |
| current - collector (ic) (max) | 1A |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 50mA, 10V |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| notification | QPL or Military Specs are for reference only. Part |
| operating temperature | -65В°C ~ 200В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| подкатегория | Transistors |
| power - max | 1W |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs | N |
| rohs status | RoHS non-compliant |
| series | Military, MIL-PRF-19500/357 -> |
| supplier device package | TO-39 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Microchip / Microsemi |
| transistor type | PNP |
| упаковка | Tray |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 175V |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
