JANS2N3501, Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin TO-39 Tray

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: JANS2N3501
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip JANS2N3501, Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
14 050
+
Бонус: 281 !
Бонусная программа
Итого: 14 050
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:150 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:150 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:300 mA
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-39-3
packaging:Tray
партномер8006836951
pd - power dissipation:1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки2:17:37
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль